除了EUV光刻机，5nm芯片还需要一种关键设备，也被美国禁售
众所周知，目前的硅基芯片，其制造过程都离不开光刻工艺，所以光刻机必不可少。
干式光刻机ArF Dry，最多可以实现65nm制程。浸润式光刻机ArFi可以实现的最小制程是7nm，而到了7nm以下，就需要EUV光刻机了。
目前国内的芯片制造工艺，一直卡在14nm，进入不了10nm、7nm等，很多人认为主要是光刻机被卡住了。
毕竟之前中芯的梁孟松也是这么说的，他说7nm制程的研究工作，已经全部做好，5nm制程的最大难点，也在进行中，只等EUV光刻机的到来。
但其实现5nm，真的买到EUV光刻机就行了么，并不是的，还有一种关键设备非常重要，且这种关键设备，也是被美国禁售的。
这种关键设备就是多束电子束光刻机，它与EUV光刻机的作用截然不同。
这种电子束光刻机用在哪里？用在光摸膜板的制造上。
我们知道目前的芯片制造，类似于投影，先制造出光掩膜板，把电路图刻在光掩膜板上，类似于制造一张“幻灯片底片”，而一颗高端芯片通常需要60-90块光刻掩模，其中EUV掩模数量为5-10块，单块成本最高可达200万美元以上。
然后再利用光刻机，用光线来照射光掩膜板，将上面的图刻录到硅晶圆上去。
光掩膜板的精度，其实要高于芯片的精度要求的，毕竟它是底片。而制造这种光掩膜板就需要电子束光刻设备，也是不可替代的。
目前全球仅4家主要企业，能够制造这种多束电子束光刻机，分别是日本的JEOL公司、Nuflare公司、德国的Vistec公司和奥地利的IMS（ IMS Nanofabrication GmbH）公司。其中IMS已被英特尔收购。
这4家中，日本Nuflare 公司最牛，拿下全球90%的份额，也是唯一一家能够具备3nm摸膜板制备能力的厂商。
而这种设备，当然也是被禁运的，是直接被写入《瓦森纳协定》中进行管控的。
可见，真要实现5nm芯片，我们要补的课还非常多，不仅仅是EUV光刻机，还有这种电子束光刻机，甚至除了这两种外，还有各种各样的设备、材料等等。
大家别都只盯着EUV光刻机，它也不过是众多设备中的一种，这些设备缺一不可，所以国产芯片产业链加油吧，路还很漫长。
推荐文章
-
近期，行业两大巨头台积电与三星电子相继宣布调整其成熟制程产能，特别是逐步缩减乃至关闭部分8英寸（200mm）晶圆产线。台积电已明确通知客户，将优化资源配置，并计划在2027年实现部分8英寸厂区的全面停产。三星电子亦步亦趋，被报道计划于年内关闭位于韩国器兴园区的一座8英寸工厂，以聚焦于12英寸产线。 市场研究机构TrendForce（集邦咨询）预测：2025年全球8英寸晶圆产能预计将首次出现约0.3%的负增长，而到了2026年，在两大龙头持续减产的影响下，产能缩减幅度预计将扩大至2.4%。然而，与产能收缩形成鲜明对比的是，市场却传出了截然不同的信号——部分晶圆代工厂已通知客户，计划在2026年将8英寸代工价格上调5%至20%不等。 巨头转身，新的考量 从经济效益来看，12 英寸（300mm）晶圆对比 8 英寸晶圆，有着难以比拟的成本优势。一片 12 英寸晶圆的面积约为 8 英寸晶圆的 2.25 倍，在相近的制造流程下，能产出更多芯片，大幅降低单位芯片的制造成本。对于追求规模效应和利润最大化的行业巨头来说，把有限的厂房空间、洁净室资源、技术团队乃至能源配额... -
芝能智芯出品 2025年下半年，围绕安世半导体控制权与供应链的博弈，让全球汽车产业对供应链的问题感受深刻，上游芯片供应被地缘影响，“全球化最优分工”可以在几周内失效。 现在安世中国子全面切换国产晶圆供应链，本土晶圆厂接棒车规级IGBT与MOSFET生产，中国功率半导体越来越完整了。 Part 1安世中国切换国产供应链 安世中国自2026年起IGBT晶圆全面切换国产供应链，是功率半导体本土化进程中的一个标志性事件。 安世半导体是从荷兰发展起来的，20世纪50年代，飞利浦在奈梅亨布局半导体； 2006年半导体业务独立成恩智浦； 2017年，恩智浦又把标准产品事业部剥离出来，成立安世半导体，专注分立器件、MOSFET、IGBT 等功率半导体。 2018—2020年，闻泰科技分三步合计投入约338亿元实现100%控股，并把东莞基地扩建成年产能750亿颗的核心制造中心，欧洲的技术平台叠加中国的产能与市场，也是一种互惠互利的发展模式。 但2025年9月之后，荷兰政府发布部长令，冻结资产、限制投票权、暂停中国籍CEO职务，随后在10月切断对东莞的...
-
先进封装，正成为近日半导体市场的行业热词。一边是光刻机龙头ASML正式把枪口对准先进封装，一边是博通开始出货 3.5D XDSiP 先进封装平台首款 SoC 芯片。 这一系列动作的背后，指向一个清晰的行业共识：摩尔定律步入下半场，单纯依靠制程微缩的路径已然越走越窄。而先进封装，正成为半导体产业未来十年的关键增长极，也是行业核心竞争的全新赛道。 要理解这一变革的必然性，需先穿透先进制程瓶颈下，芯片行业面临的两大核心困局。 01 芯片微缩，走进死胡同 过去半个多世纪，半导体产业的核心叙事始终围绕“晶体管微缩”展开。每一次制程工艺的迭代（从28nm到7nm，再到3nm、2nm），本质都是通过缩小晶体管尺寸，在单一芯片晶圆上集成更多晶体管，从而实现性能提升、功耗降低的“双重红利”。这一逻辑支撑了行业数十年的高速增长，成为芯片产业发展的核心驱动力。 但如今，这条被验证无数次的赛道，已触达不可逾越的天花板。 从物理层面看，当晶体管尺寸逼近原子量级，传统的硅基CMOS技术面临根本性挑战：晶体管栅极漏电问题日益严重...
