近期，行业两大巨头台积电与三星电子相继宣布调整其成熟制程产能，特别是逐步缩减乃至关闭部分8英寸（200mm）晶圆产线。台积电已明确通知客户，将优化资源配置，并计划在2027年实现部分8英寸厂区的全面停产。三星电子亦步亦趋，被报道计划于年内关闭位于韩国器兴园区的一座8英寸工厂，以聚焦于12英寸产线。 市场研究机构TrendForce（集邦咨询）预测：2025年全球8英寸晶圆产能预计将首次出现约0.3%的负增长，而到了2026年，在两大龙头持续减产的影响下，产能缩减幅度预计将扩大至2.4%。然而，与产能收缩形成鲜明对比的是，市场却传出了截然不同的信号——部分晶圆代工厂已通知客户，计划在2026年将8英寸代工价格上调5%至20%不等。 巨头转身，新的考量 从经济效益来看，12 英寸（300mm）晶圆对比 8 英寸晶圆，有着难以比拟的成本优势。一片 12 英寸晶圆的面积约为 8 英寸晶圆的 2.25 倍，在相近的制造流程下，能产出更多芯片，大幅降低单位芯片的制造成本。对于追求规模效应和利润最大化的行业巨头来说，把有限的厂房空间、洁净室资源、技术团队乃至能源配额...
芝能智芯出品 2025年下半年，围绕安世半导体控制权与供应链的博弈，让全球汽车产业对供应链的问题感受深刻，上游芯片供应被地缘影响，“全球化最优分工”可以在几周内失效。 现在安世中国子全面切换国产晶圆供应链，本土晶圆厂接棒车规级IGBT与MOSFET生产，中国功率半导体越来越完整了。 Part 1安世中国切换国产供应链 安世中国自2026年起IGBT晶圆全面切换国产供应链，是功率半导体本土化进程中的一个标志性事件。 安世半导体是从荷兰发展起来的，20世纪50年代，飞利浦在奈梅亨布局半导体； 2006年半导体业务独立成恩智浦； 2017年，恩智浦又把标准产品事业部剥离出来，成立安世半导体，专注分立器件、MOSFET、IGBT 等功率半导体。 2018—2020年，闻泰科技分三步合计投入约338亿元实现100%控股，并把东莞基地扩建成年产能750亿颗的核心制造中心，欧洲的技术平台叠加中国的产能与市场，也是一种互惠互利的发展模式。 但2025年9月之后，荷兰政府发布部长令，冻结资产、限制投票权、暂停中国籍CEO职务，随后在10月切断对东莞的...
先进封装，正成为近日半导体市场的行业热词。一边是光刻机龙头ASML正式把枪口对准先进封装，一边是博通开始出货 3.5D XDSiP 先进封装平台首款 SoC 芯片。 这一系列动作的背后，指向一个清晰的行业共识：摩尔定律步入下半场，单纯依靠制程微缩的路径已然越走越窄。而先进封装，正成为半导体产业未来十年的关键增长极，也是行业核心竞争的全新赛道。 要理解这一变革的必然性，需先穿透先进制程瓶颈下，芯片行业面临的两大核心困局。 01 芯片微缩，走进死胡同 过去半个多世纪，半导体产业的核心叙事始终围绕“晶体管微缩”展开。每一次制程工艺的迭代（从28nm到7nm，再到3nm、2nm），本质都是通过缩小晶体管尺寸，在单一芯片晶圆上集成更多晶体管，从而实现性能提升、功耗降低的“双重红利”。这一逻辑支撑了行业数十年的高速增长，成为芯片产业发展的核心驱动力。 但如今，这条被验证无数次的赛道，已触达不可逾越的天花板。 从物理层面看，当晶体管尺寸逼近原子量级，传统的硅基CMOS技术面临根本性挑战：晶体管栅极漏电问题日益严重...
2026年开年的半导体行业，被密集的涨价通知按下了“加速键”。其中，国内三家核心芯片企业接连抛出调价函，成为开年涨价潮中最受关注的行业信号。1月30日，国内模拟及数模混合集成电路设计企业必易微发布产品调价通知：受上游原材料持续涨价、产能紧缺影响，为保障供应链稳定与产品交付，必易微公司即日起上调全系列产品价格，具体型号及涨幅将由销售团队与客户一对一沟通。 1月27日，中微半导体发布了“涨价通知函”，宣布于即日起对MCU、Nor flash等产品进行价格调整，涨价幅度15%~50%。对于涨价的原因，中微半导体和国科微的解释相似。 1月25日晚间，中微半导发布的业绩预告显示，经财务部门初步测算，预计公司 2025 年年度实现营业收入11.22亿元左右，同比增长 23.07%左右。预计 2025 年年度实现归属于母公司所有者的净利润2.84亿元左右，同比暴涨107.55%左右；归属于母公司所有者扣除非经常性损益后的净利润 1.69亿元左右，同比大涨85.36%左右。 国内企业的涨价并非孤立事件，全球半导体巨头早已开启涨价模式，尤其是模拟芯片领域，两大龙...
全球半导体巨头三星电子和SK海力士正式打响尖端NAND闪存产能争夺战。据最新消息，两家公司计划在今年第二季度推进尖端NAND闪存的转换投资，其中三星电子正在讨论的投资规模约为每月4万至5万片晶圆，预计明年进入量产阶段。 过去长期把资源优先投向DRAM的两大巨头，如今正积极调整战略布局，应对AI服务器需求激增带来的存储芯片市场新变化。 三星电子与SK海力士此次的转换投资决策，标志着存储芯片巨头战略重心正在发生微妙变化。过去，由于市场需求不足，两家公司的设备投资几乎全部集中在DRAM领域，NAND投资计划一再推迟。 三星电子在2024年9月就已启动280层V9 NAND量产，但当时只在平泽园区部署了初期量产线，月产能仅约15000片晶圆。如今，随着AI产业推动存储需求快速上升，三星正在加速扩大V9产能，重点放在中国西安的X2产线。 SK海力士也展现出强劲的扩产势头。该公司计划在今年第二季度启动321层第9代NAND的转换投资，目标是在清州M15实现月产约3万片晶圆的V9产能。与目前约2万片晶圆的水平相比，这次扩产力度相当大...
回溯中国光刻机发展历史，曾经也是全球第一梯队。在上世纪70年代末，中国光刻机展开接触式、接近式光刻机及投影式光刻技术研究，80年代末就实现第一台分步式光刻机的开发，但多种因素影响下，90年代至本世纪初，中国光刻机研发显著落后。 凭借半导体发源地优势，美系厂商在光刻机竞争中率先起步，日系企业依托精密光学与政策扶持在DUV时代登顶，中国为应对全球竞争，不得不先采购美日生产的光刻机，至2024年，中国已成为全球最大光刻机采购市场，贡献ASML营收41%，外界普遍猜测，这是中国在美彻底封锁光刻机出口前集中采购。 从2018年开始，美国施压对华高端光刻机的出口，之后又陆续出台“1007新规”等针对政策，限制对中国出口先进制程芯片设备，包括EUV光刻机和先进型号的DUV光刻机，联合日本荷兰制定相关出口条例共同对华进行产业封锁，中国自此加速光刻机国产替代进程，至2025年，中国在光刻机领域已经取得明显突破。 在此期间，美国鼓动其盟友限制向中国出口光刻机，导致中国多种芯片短缺的窘迫局面已经大幅改善，华为麒麟旗舰芯片已于20...
