三代半英雄榜：国产SiC研磨设备厂商蓄势待发
研磨是衬底加工的重要一环，通过研磨液和研磨设备，对SiC晶片表面进行前期加工，提高表面质量，获得相对平整的待抛光表面。碳化硅单晶衬底研磨采用金刚石研磨液进行研磨，可分为两道工艺——粗磨和精磨，前者是为了提升加工效率并去除由切割引起的刀痕和变质层，使用粒径较大的磨粒，后者是为了去除由粗磨造成的加工损伤层，改善表面粗糙度，使用粒径较小的磨粒。
研磨有单面研磨和双面研磨两种方式，单面研磨一次只能磨削衬底的一个面，而双面研磨具有上、下两个研磨盘，可以同时研磨衬底的两个面，能更好的改善SiC衬底的翘曲度与平面度。
苏州迈为科技股份有限公司成立于2010年，总部位于苏州，是一家集机械设计、电气研制、软件开发、精密制造于一体的高端装备制造商，面向太阳能光伏、显示、半导体三大行业，研发、制造、销售智能化高端装备，主要产品包括全自动太阳能电池丝网印刷生产线、异质结高效电池制造整体解决方案、OLED柔性屏激光切割设备、Mini/Micro LED晶圆设备、半导体晶圆封装设备等。迈为股份在2019年立项研磨机，2023年对外展示了针对碳化硅的、经过主轴功率改造的碳化硅研磨设备，应用于4/6/8英寸碳化硅、蓝宝石等硬质材晶圆的减薄。同时对外展示半导体晶圆激光改质切割设备，应用于8/12英寸硅晶圆及碳化硅、氮化镓等第三代半导体内部改质切割。MX-SSG 碳化硅研磨设备用于4/6/8英寸硬质材料晶圆减薄加工工艺，搭配自主研制的高目数磨轮，实现晶圆精抛功能，减少表面损伤，保证晶圆品质，优异的视觉检测和定位系统，可识别晶圆正反面，实现自动定位补偿。
整体而言，SiC研磨机主要技术难点包括高硬度材料减薄厚度的精确测量及控制，磨削后晶圆表面出现损伤层、微裂纹和残余应力，SiC晶圆减薄后产生比硅晶圆更大的翘曲现象，以及薄晶圆传输中的碎片问题等。
在国产替代上，目前的SiC研磨设备在粗磨方面已经基本满足加工需求，但在细磨方面仍然以国外设备为主，当前已经有更多的中国厂商投入研发，有望改善及提升国产设备的竞争力。
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