回溯中国光刻机发展历史，曾经也是全球第一梯队。在上世纪70年代末，中国光刻机展开接触式、接近式光刻机及投影式光刻技术研究，80年代末就实现第一台分步式光刻机的开发，但多种因素影响下，90年代至本世纪初，中国光刻机研发显著落后。

凭借半导体发源地优势，美系厂商在光刻机竞争中率先起步，日系企业依托精密光学与政策扶持在DUV时代登顶，中国为应对全球竞争，不得不先采购美日生产的光刻机，至2024年，中国已成为全球最大光刻机采购市场，贡献ASML营收41%，外界普遍猜测，这是中国在美彻底封锁光刻机出口前集中采购。

从2018年开始，美国施压对华高端光刻机的出口，之后又陆续出台“1007新规”等针对政策，限制对中国出口先进制程芯片设备，包括EUV光刻机和先进型号的DUV光刻机，联合日本荷兰制定相关出口条例共同对华进行产业封锁，中国自此加速光刻机国产替代进程，至2025年，中国在光刻机领域已经取得明显突破。

在此期间，美国鼓动其盟友限制向中国出口光刻机，导致中国多种芯片短缺的窘迫局面已经大幅改善，华为麒麟旗舰芯片已于2023年重新投产并应用于其旗舰手机，如今就连特朗普政府严格限制出口，中国人工智能行业亟需的高端GPU也被传将恢复出口。

只可惜国内厂商已经对英伟达祛魅，比如科大讯飞就已经使用基于国产算力打造自主可控通用大模型底座，英伟达已经彻底失去中国高端GPU市场，黄仁勋在纽约出席Citadel Securities活动时坦言，受美国出口限制影响，公司在中国高端AI芯片市场的份额已从过去的95%归零。

网传2025年是中国国产光刻机爆发式增长元年，公开资料显示，上海微电子自主研发的600系列光刻机已实现90nm工艺的量产，并正在进行28nm浸没式光刻机的研发工作。

另据2024年发布的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》，国产氟化氩(ArF)光刻机的核心指标为光源波长193纳米、分辨率≤65纳米、套刻精度≤8纳米，这标志着国产ArF光刻机在成熟制程（如55-65nm）芯片制造上具备了应用基础。

单纯看工业应用，实现55nm工艺制程的国产化替代，就已经足以应对涉及安全等战略层面的芯片应用，进一步研发28nm及以下先进工艺光刻机，是为了保证高性能计算、旗舰手机、先进AI算力芯片等核心领域的硬件安全。

2025年9月15日，2025年国家网络安全宣传周网络安全企业家座谈会在昆明召开，座谈会上明确了头部企业需扛起“卡脖子”技术攻关责任，聚焦芯片等关键领域，联合高校院所打造创新联合体，加速研发自主可控安全芯片以突破垄断。

面对外部封锁压力，在国家政策支持下，国内企业加速研发突破光刻机制造技术，宇量昇与中芯国际的合作测试是国产光刻机突破的重要信号。

据公开资料显示，宇量昇成立于2022年7月，为国有控股企业，定位“半导体专用设备研发与制造”，聚焦EUV光刻机国产化，目标构建独立于美国的半导体设备生态。

光刻机技术的突破将带动上游材料、精密机械等配套产业升级，加速光刻胶、光学部件等“卡脖子”材料的国产化进程，形成“龙头带动、多点突破”的产业升级格局。

相信在多方努力下，国产光刻机将陆续攻克核心技术节点，国产光刻机产业链，已经实现从成熟制程向先进制程加速跃迁，行业发展重点也由“补短板”向“建体系”转变，以多重曝光、自对准图形化、先进对准系统为代表的关键工艺能力不断增强，使得中国在14nm甚至7nm可实现路径上具备了自主探索的可能。