三星、SK海力士启动新一轮NAND闪存扩产
全球半导体巨头三星电子和SK海力士正式打响尖端NAND闪存产能争夺战。据最新消息，两家公司计划在今年第二季度推进尖端NAND闪存的转换投资，其中三星电子正在讨论的投资规模约为每月4万至5万片晶圆，预计明年进入量产阶段。
过去长期把资源优先投向DRAM的两大巨头，如今正积极调整战略布局，应对AI服务器需求激增带来的存储芯片市场新变化。
三星电子与SK海力士此次的转换投资决策，标志着存储芯片巨头战略重心正在发生微妙变化。过去，由于市场需求不足，两家公司的设备投资几乎全部集中在DRAM领域，NAND投资计划一再推迟。
三星电子在2024年9月就已启动280层V9 NAND量产，但当时只在平泽园区部署了初期量产线，月产能仅约15000片晶圆。如今，随着AI产业推动存储需求快速上升，三星正在加速扩大V9产能，重点放在中国西安的X2产线。
SK海力士也展现出强劲的扩产势头。该公司计划在今年第二季度启动321层第9代NAND的转换投资，目标是在清州M15实现月产约3万片晶圆的V9产能。与目前约2万片晶圆的水平相比，这次扩产力度相当大。
半导体行业正迎来一场由AI驱动的存储革命。业内消息人士透露，随着AI服务器需求达到传统服务器的3倍，NAND市场正在快速出现供应紧张迹象。
在层数竞赛方面，三星电子正全力冲刺400多层的V10 NAND。三星已计划在2026年量产430层V10架构NAND闪存，这一技术领先地位是其在激烈市场竞争中的核心筹码。
SK海力士则做出了一个颇具颠覆性的决定：在300层NAND节点提前导入混合键合。这原本被业界认为会在400层之后才会启动的技术，如今被海力士提前一代拉入量产路线。
混合键合正成为各大NAND厂商竞争的焦点。随着层数不断攀升，传统架构面临严峻挑战。当NAND层数突破300层后，传统的单片制造架构开始遭遇系统性瓶颈。
三星已宣布将在2030年开发出1000层NAND闪存。随着AI技术革新，存储器市场转变为新模式，需求开始扩散到所有产品领域。
全球存储芯片市场的竞争已从简单的层数竞赛，转向架构创新、产业链整合和生态建设的全方位竞争。
目前中国NAND闪存市场份额已达33%，以470亿美元总规模坐稳全球第二大存储器市场宝座。产能扩张背后是巨大的市场需求。SK海力士表示，已经为2026年锁定所有的DRAM和NAND客户需求。
随着2026年第二季度转换投资的启动，三星和SK海力士的NAND扩产竞赛将进入实质性阶段。三星计划在2026年量产430层V10 NAND，而SK海力士则计划于2026年底推出AI NAND样品。
市场分析认为，存储芯片行业正迎来新一轮增长周期。2025年底，AI需求增长导致HBM供应短缺，超大规模云服务商加大采购力度，加剧了市场价格上涨和消费级市场供应紧张状况。
存储世界的未来，不只在层数叠加，更在创新布局。 当AI掀起的数据洪流席卷而来，三星与SK海力士的产能博弈才刚刚开始。正如行业变革中常说的：“预测未来最好的方式就是创造它。”在这场存储芯片的军备竞赛中，真正的赢家将是那些既能仰望技术星空又能脚踏实地满足市场需求的企业。
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