疯狂囤光刻机，DRAM双雄在怕什么？
2026年的半导体圈，正在上演一场现实版的“抢椅子”游戏。而搅动这场战局的核心变量，正是AI引爆的存储需求。
在这一轮游戏中，光刻机便是这把“椅子”。近日，存储芯片大厂SK海力士宣布将在2027年12月31日前向荷兰ASML采购价值11.95万亿韩元（约79.7亿美元）的极紫外光（EUV）光刻机，旨在应对日益增长的内存芯片需求。该交易已作为正式披露文件提交给韩国监管机构，并成为近年来ASML客户公开的最大一笔EUV光刻机采购订单。
根据预计，SK海力士采购的这些EUV光刻机将主要用于先进DRAM芯片和HBM芯片的生产。主要会部署在两个晶圆厂：一个是SK海力士位于龙仁的新晶圆厂，该晶圆厂计划于2027年2月投产；另一个则是位于清州的M15X工厂，该晶圆厂专门用于生产高带宽内存芯片。
伯恩斯坦公司的分析师戴维·道则预计，SK海力士的这份订单将使得其在两年内新增约30台EUV光刻机。这略高于其之前预测的SK海力士两年内将采购26台EUV光刻机的数量。
无独有偶，存储龙头三星也传出了大举采购光刻机的动作。韩国媒体Sedaily援引知情人士的消息报道称，三星电子已确定向光刻机大厂ASML和佳能订购了约70台光刻机，总金额高达10万亿韩元（约67亿美元），其中包含20台EUV光刻设备。不过三星方面随后回应称，该消息并不属实，公司至今尚未作出相关决策。
尽管三星的采购传闻未得到证实，但这一消息本身就折射出当前半导体行业对光刻机的迫切需求。
在探究三星、SK海力士两大存储龙头大举采购EUV光刻机的战略逻辑前，需先系统梳理五大核心影响因素，这些因素直接决定了两家企业的采购规模、节奏及行业后续格局：
第一，两大巨头当前EUV光刻机保有量。
第二，两家公司1c DRAM现有产能基数、2026年底规划产能的落地路径及产能爬坡节奏。
第三，不同生产制造能力带来的市场竞争力差异。
第四，ASML的EUV产能供给能力、交付周期及现有订单积压情况，能否匹配两大龙头的扩产需求。
第五，是否需要警惕2028年产能集中释放导致的过剩风险？
长期以来，DRAM的密度提升高度依赖于制程微缩，这使得对EUV等高端光刻机的投入成为刚性需求。
随着3D 堆叠存储的发展，3D NAND 为提升存储密度，将存储单元垂直堆叠，层数不断增加，目前主流产品已超过 300 层，未来还将向 1000 层迈进。DRAM未来也有类似的3D堆叠层数的技术路线图。这种技术路径的转变，意味着厂商对光刻精度的极致追求将有所放缓，进而削弱对EUV光刻机的需求。
相应的对刻蚀设备的需求量和性能要求呈指数级增长，比如从 32 层提高到 128 层时，刻蚀设备用量占比从 35% 提升至 48%。此外，近存计算方案的发展增加了 TSV 刻蚀需求，TSV 工艺中刻蚀和填充设备占比接近 70%，进一步增加了刻蚀设备的需求。同时，3D NAND 堆叠层数不断增加，每层薄膜厚度要求严苛，ALD 与 CVD 协同工艺成为主流，这都对薄膜沉积设备提出了更高要求。
因此，半导体制造的未来重点，或将从单纯依靠光刻机缩小特征尺寸，转向更复杂关键的刻蚀与薄膜沉积工艺。DRAM 对光刻机的依赖程度，也将明显低于当前水平。
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