哈工大为国内顶尖学府，此前在14纳米光刻机上就研发成功了重要的光刻机技术，为国产14纳米光刻机的量产提供了有力支持，近日哈工大再传来炸裂性的消息，研发成功EUV光刻机光源，这将是美国和ASML以LCC EUV联盟垄断EUV光刻机之外的首次。

据称哈工大研发的“电能转化等离子体线路”技术，可以实现DPP-EUV光源，为国产的EUV光刻机打开了一扇门，这也是EUV光刻机的重要核心技术之一。

国产芯片制造工艺一直无法突破7纳米，就在于美国阻止ASML对中国出售EUV光刻机，早在2018年中芯国际就向ASML支付了1.2亿美元订购EUV光刻机，然而至今ASML都未向中芯国际交付EUV光刻机。

去年下半年以来，美国又进一步加强了光刻机出口限制，要求ASML不要对中国出售14纳米及以下的EUV光刻机，早前ASML表示它可以对中国出售1980Di光刻机，然而这只是一款38纳米光刻机，远远无法满足中国的需求。

为此中国开始极力推动国产光刻机产业链的发展，而哈工大就多次研发成功重要的光刻机技术，为国产光刻机的发展提供了有力支持，这次再研发成功EUV光刻机光源，为国产EUV光刻机的量产推进了一大步。

ASML是一家荷兰企业，为何美国能对ASML拥有如此巨大的影响力，原因就在于多年来美国为ASML提供了诸多的技术支持，将ASML从一家苟延残喘的光刻机厂商变成如今的光刻机巨头，占有光刻机市场近六成的市场份额。

2005年之前，全球的光刻机市场主要为日本的佳能、尼康占据，它们占有八成的市场份额，而ASML当时甚至只能托庇在飞利浦旗下，而飞利浦只是给ASML一家毫不起眼的办公室，毕竟当时的ASML实在看不到希望。

2005年台积电的林本坚研发出浸润式光刻机技术，而日本的佳能、尼康生产干式光刻机，它们看不上林本坚的浸入式光刻机技术，那时候苟延残喘的ASML找上了台积电，孤注一掷研发浸润式光刻机技术，由此迅速在光刻机市场打开局面。

此后美国希望打压日本的光刻机产业，强制日本的光刻机企业贡献先进光刻机技术，后来美国更联合ASML成立LCC EUV联盟，却排斥了佳能和尼康，由此ASML更成为全球唯一可以生产EUV光刻机的厂商，由此建立了ASML垄断光刻机市场的地位，如此也就不奇怪为何ASML屡屡听从美国的要求了。