2026年开年的半导体行业，被密集的涨价通知按下了“加速键”。其中，国内三家核心芯片企业接连抛出调价函，成为开年涨价潮中最受关注的行业信号。1月30日，国内模拟及数模混合集成电路设计企业必易微发布产品调价通知：受上游原材料持续涨价、产能紧缺影响，为保障供应链稳定与产品交付，必易微公司即日起上调全系列产品价格，具体型号及涨幅将由销售团队与客户一对一沟通。 1月27日，中微半导体发布了“涨价通知函”，宣布于即日起对MCU、Nor flash等产品进行价格调整，涨价幅度15%~50%。对于涨价的原因，中微半导体和国科微的解释相似。 1月25日晚间，中微半导发布的业绩预告显示，经财务部门初步测算，预计公司 2025 年年度实现营业收入11.22亿元左右，同比增长 23.07%左右。预计 2025 年年度实现归属于母公司所有者的净利润2.84亿元左右，同比暴涨107.55%左右；归属于母公司所有者扣除非经常性损益后的净利润 1.69亿元左右，同比大涨85.36%左右。 国内企业的涨价并非孤立事件，全球半导体巨头早已开启涨价模式，尤其是模拟芯片领域，两大龙...

从破土动工到设备搬入仅用约一年——长江存储三期项目正在打破半导体行业的常规建厂周期。据业内最新消息，原定于2027年量产的武汉三期晶圆厂，有望提前至2026年下半年投入生产，比原计划整整提前一年。 这一速度在半导体行业极为罕见。常规情况下，此类晶圆厂从建设到量产通常需要两年左右周期。长江存储采取了“边建厂、边投产”的加速策略， 在工厂主体建筑尚未完全完工的情况下，同步进行设备搬入与生产线调试。 布局超级周期 在全球存储芯片供应持续紧缺的背景下，长江存储的加速扩产是一项精准的战略决策。2025年9月正式动工的三期项目，由长江存储与湖北国资共同出资，注册资本高达207.2亿元。 这种“弯道超车”的策略背后，是长江存储对NAND Flash市场即将迎来“超级周期”的预判。 当前，受AI服务器、数据中心及消费电子复苏推动，NAND Flash需求大幅攀升，市场呈现供不应求态势。 2026年被长江存储视为扩大NAND Flash市场占有率的黄金时刻。 三星与SK海力士将主要资源与重心倾斜至利润更高的DR...

全球半导体巨头三星电子和SK海力士正式打响尖端NAND闪存产能争夺战。据最新消息，两家公司计划在今年第二季度推进尖端NAND闪存的转换投资，其中三星电子正在讨论的投资规模约为每月4万至5万片晶圆，预计明年进入量产阶段。 过去长期把资源优先投向DRAM的两大巨头，如今正积极调整战略布局，应对AI服务器需求激增带来的存储芯片市场新变化。 三星电子与SK海力士此次的转换投资决策，标志着存储芯片巨头战略重心正在发生微妙变化。过去，由于市场需求不足，两家公司的设备投资几乎全部集中在DRAM领域，NAND投资计划一再推迟。 三星电子在2024年9月就已启动280层V9 NAND量产，但当时只在平泽园区部署了初期量产线，月产能仅约15000片晶圆。如今，随着AI产业推动存储需求快速上升，三星正在加速扩大V9产能，重点放在中国西安的X2产线。 SK海力士也展现出强劲的扩产势头。该公司计划在今年第二季度启动321层第9代NAND的转换投资，目标是在清州M15实现月产约3万片晶圆的V9产能。与目前约2万片晶圆的水平相比，这次扩产力度相当大...