中国芯片加速5纳米量产,以现有设备实现先进工艺的突破

作者: 上海桐烨
发布于: 2024-04-25 10:49
分类: 行业新闻

据了解北京一家企业正在研发一种利用现有光刻机生产5纳米工艺的技术,预计很快就能实现量产,该工艺的核心技术是自对准四重图案化(SAQP)技术,类似技术曾被台积电用于7纳米,Intel也曾试图利用该项技术。

Intel是最早考虑多重曝光技术的,2014年它就已量产14纳米工艺,2016年ASML还没量产EUV光刻机,Intel就试图利用DUV光刻机辅以多重曝光技术,提升晶体管密度,研发自己的10纳米工艺,结果Intel玩砸了,EUV光刻机量产后,Intel都未量产10纳米,又推倒重来采用EUV光刻机生产10纳米。

台积电的7纳米工艺就采用了DUV光刻机生产,如此做是为了尽快量产7纳米,并确保7纳米工艺的量产;当时三星却率先采用了EUV光刻机生产7纳米,结果是台积电用DUV光刻机生产的7纳米良率更高,在吃透了7纳米技术之后,台积电再用EUV光刻机生产7纳米,提升7纳米技术的性能。

Intel的10纳米被认为与台积电和三星的7纳米相当,这也是业界质疑台积电和三星玩数字游戏的原因,而台积电的10纳米工艺几乎是昙花一现,7纳米量产后,10纳米几乎被舍弃,芯片企业要么采用16纳米,要么直接用7纳米,可以说台积电的10纳米工艺就是一种过渡工艺。

如今这项多重曝光技术得到中国芯片行业的青睐,则在于中国芯片行业难以得到EUV光刻机,选择多重曝光技术实属无奈,但是如果采用这项技术实现5纳米工艺,对于中国芯片行业来说则是重大突破。

由于众所周知的因素所影响,中国的手机芯片、AI芯片等等都无法由台积电以先进的5纳米工艺生产,这对中国芯片行业影响巨大,毕竟更先进的工艺可以带来更强的性能和更低的功耗,增强芯片竞争力。

中国芯片研发的SAQP技术也有弊端,那就是多曝光一次,芯片的良率就会进一步下降,成本上升,不过在当前环境下,实现先进工艺的量产,对于国产芯片来说那是0与1的关系,只要能量产,那么对于中国芯片来说就具有重要意义。

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