氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料之一，正加速在电力电子、数据中心与新能源汽车等高增长领域渗透。 在这一关键节点，台积电决定于2027年前逐步退出GaN晶圆代工业务，主因包括产能利用率不足、价格竞争压力以及长期战略重心转移。 而与此同时，英飞凌则在大力推进300毫米GaN晶圆IDM自建产线，力图在效率与成本上获得先发优势。 两位主要的玩家选择不同，逻辑也不同。 氮化镓作为宽禁带半导体材料，其电子迁移率高、击穿电压大、频率响应快，使其在高压、快开关应用中具备显著优势，尤其适用于服务器电源、快充、逆变器、车载OBC与电驱动模块等场景。 目前主流GaN晶圆制程以GaN-on-Si（氮化镓外延层生长在硅衬底）为主，主要集中在6英寸和8英寸产线上。 以台积电为例，其以150毫米（6英寸）硅衬底工艺为核心，服务包括Navitas、意法半导体与GaN Systems等企业，提供高压GaN晶圆制造代工。 但由于整体GaN市场体量相较CMOS远小，加之定价难以形成规模溢价，台积电的GaN业务始终维持在较低投片规模。 从技术角度看 ◎ GaN外延生长...

8月18日消息，华虹半导体有限公司今日发布公告称，正筹划以发行股份及支付现金方式收购上海华力微电子有限公司控股权，并配套募集资金。此次交易初步确定的交易方包括控股股东上海华虹集团、国家集成电路产业投资基金二期等机构，预计不构成重大资产重组，且不会导致公司实际控制人变更。华虹半导体自今天（8月18日）起停牌，预计停牌时间不超过10个交易日。 先来看看本次收购标的资产为华力微旗下与华虹存在65／55nm及40nm工艺竞争的“华虹五厂”所对应股权，该资产目前正处于分立阶段。 华虹五厂，是中国大陆首条12英寸全自动生产线，月产能达3．8万片，覆盖65／55nm至40nm工艺，主要服务于物联网、汽车电子等领域。从公布的协议细节来看，交易双方虽然同属华虹集团，但工艺技术定位还是存在较大差异——“大哥”华虹比较聚焦特色工艺（如智能卡芯片），＂小弟＂华力微则比较侧重先进逻辑工艺。 双方在65／55nm节点的技术都有很大的优化空间，且在65／55nm及40nm工艺节点都存在交叉业务：华虹承接独立式及嵌入式非易失性存储器工艺平台...

羲之，中国的“纳米神笔” 8月14日消息，据《杭州日报》报道，全国首台国产商业电子束光刻机“羲之”，进入应用测试阶段，并正式投入市场。 从报道内容来看，该设备是由浙大余杭量子研究院依托浙江省重点实验室自主研发，其精度高达0．6纳米（相当于人类头发丝直径的十万分之一）、线宽8纳米，性能可比肩国际主流设备。 先从芯片行业角度来看，电子束光刻机，作为一种利用高能电子束在硅基材料上直接绘制纳米级电路的设备，是目前研发量子芯片和新型半导体的核心装备。 而国产“羲之”光刻机的的独特优势在于，其无需掩膜版（传统光刻工艺中，电路模板是不可或缺的），可直接通过电子束灵活“书写”电路，研发团队比喻其为“能在头发丝上雕刻整座城市地图的纳米神笔”。 芯片研发初期，需要反复调试需求以达到理想中的电路特性，而“羲之”无需掩膜版的特性让调试变得更为简单，从而大幅缩短设计周期。另外，该设备除了投入实际测试，也正式投入市场，意味其并非“纸上谈芯”，而是切切实实从背...