2023年，因为众所周知的原因，中国在疯狂的建设芯片厂，所以也疯狂的购买ASML的光刻机。按照ASML的数据，2023年，中国大陆从ASML购买了约600亿元的光刻机，排名全球第一。 而之前一年，这个金额大约只有200亿元左右，可见，2023年是以往年份的三倍左右了。 而2024年，则更加夸张，一、二季度，中国大陆购买的光刻机，占ASML的49%、49%、47%。而从金额来看，2024年1-9月份，仅在光刻机销售，不含维修、保养等方面，ASML就向中国大陆销售了一共550亿元左右的光刻机。从这个数字就可以看出来，中国购买ASML的光刻机，有多疯狂了，ASML所销售的光刻机，有接近一半是卖给中国的。 为何中国这么疯狂的买ASML光刻机，当然就是因为中国在疯狂造芯厂，而新增芯片厂，需要大量的ASML光刻机。毕竟光刻机这玩意，只有建设芯片厂才需要，又无法当做别的用途。 不过，当时间进入到2024年四季度之后，形势就变了，中国还在建设芯片厂，但最疯狂的不再是中国，而变成美国了。 按照ASML的数据，如上图所示，2024年四季度，美国所购买的光刻机，...

2024年，先进封装的关键词就一个——“涨价”。涨价浪潮已经从上半年持续到年底，2025年大概率还要涨。2024年12月底，台积电宣布明年继续调涨先进制程、封装代工价格。原因是AI领域对先进制程和封装产能的强劲需求。 日本半导体行业研究学者汤之上隆（曾任职于日立、尔必达的一线研发部门）说道，“迄今为止，摩尔定律通常被理解为每两年，单个芯片上集成的晶体管数量将翻一番。然而，在未来，‘单个芯片’的概念可能将失去其重要性，而‘单个封装’的重要性将日益凸显。因为将各种芯片集成到单个封装中并作为单个系统运行的‘小芯片’（Chiplet）将成为主流。” 在“后摩尔时代”，先进制程升级速度逐渐放缓，同时往前推进边际成本愈发高昂，采用先进封装技术提升芯片整体性能成为集成电路行业技术发展的重要趋势。2025年，全球半导体行业在先进封装领域的投资再度升温，台积电、三星、英特尔等行业巨头纷纷加大对这一领域的研发投入，标志着封装技术将在未来几年成为半导体行业竞争的关键...

随着半导体技术不断发展，先进封装逐渐成为推动行业进步的核心领域之一。3D堆叠、光子学和有机中介层等技术正在不断推动封装的创新，但在实现这些目标的过程中，仍然面临着诸多挑战。 散热问题、热梯度、结构复杂性以及生产和成本问题，都是当前亟待解决的难题。为了推动这些技术的实际应用，业界需要在设计工具、计量学、冷却技术和材料应用等方面取得更大进展。 我们可以从当前先进封装领域的主要技术趋势、挑战及其未来发展方向，特别是如何通过技术创新推动行业向前发展。 先进封装的技术趋势与挑战 在3D-IC（集成电路）和3.5D封装领域，热管理问题一直是技术发展的主要瓶颈之一。 随着器件功率密度的增加，传统的散热解决方案难以满足新的性能需求。针对这一挑战，业内专家提出了通过热机械模拟来优化热管理设计的思路。 然而，现有的热模拟工具仍然无法完全预测复杂热条件下封装内部的温度轮廓，这使得产品的实际应用面临更大的不确定性。加之，高功率芯片的温度分布极为复杂，如何有效管理这些热点问题，成为了技术突破的关键所在。 为了解决这一问题，冷却...

目前几乎所有的芯片制造技术，均是基于光刻工艺来的。 而光刻工艺中，最重要的设备，就是光刻机。目前全球仅4家厂商，拥有前道光刻机生产能力，分别是荷兰的ASML、日本的佳能、尼康，中国的上海微电子。 不过市场主要被ASML垄断，其份额超过了85%，尼康、佳能又占了15%左右，上海微电子的份额几乎为0。 特别是EUV光刻机，ASML垄断100%，高端浸润式DUV光刻机，ASML垄断95%，另外5%为尼康占领，也就是说，从浸润式DUV光刻机开始，几乎全是ASML说了算。 而为了控制全球芯片市场，美国不允许ASML的光刻机随便卖，特别是EUV光刻机、浸润式DUV光刻机，要销售给谁，需要美国的许可证，美国就是通过这样的办法，来制霸全球，来限制中国芯片产业的发展。 而在这样的情况之下，中国厂商当然不会投降，也是努力的研发自己的光刻机，一旦国产光刻机突破，那么我们就不必依然从国外进口了，国产芯片产业也就再也不受限制，美国的禁令就成废纸了。之前我们的光刻机技术，其分辨率已经达到了90nm，处于干式DUV阶段。而近日，又一台国产光刻...

雷神公司的目标是引领这些材料发展到针对当前和下一代雷达和通信系统优化的设备中。 先进的功率芯片和射频放大器依赖于氮化镓 （GaN） 等宽带隙半导体半导体材料，但是中国控制着大部分的镓的供应，并且已经对镓进行出口管制。为了应对这一挑战，美国国防部机构 DARPA（国防高级研究局）近期已委托雷神（Raytheon）公司 开发基于人造金刚石和氮化铝（AlN）的超宽带隙半导体。 雷神公司的目标是引领这些材料发展到针对当前和下一代雷达和通信系统优化的设备中，例如射频开关、限幅器和功率放大器，以增强其功能和范围。这包括在协同传感、电子战、定向能以及集成到高超音速等高速武器系统中的应用。 凭借其 3.4 eV 带隙，GaN 已经成为高功率和高频半导体的领先材料。但是人造金刚石有可能在高频性能、高电子迁移率、极端热管理、更高功率处理和耐用性至关重要的应用中超越 GaN 的能力（其带隙约为 5.5 eV）。然而，人造金刚石是一种新兴的半导体材料，其大规模生产仍然存在挑战。氮化铝 （AlN） 具有更宽的带隙，约为 6.2 eV，使其更适合上述应用。雷...

全球芯片行业如今正遭受中国芯片的强烈冲击，主要是中国芯片的技术确实在加速发展，而日前就有一家中国芯片企业表示取得了重大突破，在芯片制造技术方面达到世界主流水平，这将进一步改变全球芯片市场的格局。 据悉中国第三大芯片制造企业晶合集成已成功试产28纳米工艺，这意味着中国三大芯片制造企业都已突破到28纳米或更先进工艺，如此中国芯片制造在成熟芯片市场将取得更多市场份额。 数年前，中国芯片行业决定先发展成熟工艺，从那时候起中国就大举扩张成熟工艺芯片产能，到2023年中国的芯片制造产能已占全球市场近三成，中国已成为全球最大的芯片制造国。 中国芯片制造的飞速发展也推动了中国芯片制造企业的成长，2023年晶合集成跻身全球芯片制造行业前十名，由此中国的中芯国际、上海华虹和晶合集成都成为全球前十大芯片制造企业。 晶合集成之前曾主要以65纳米工艺生产芯片，但是通过布局电视芯片等市场--这类芯片主要以65纳米等以上成熟工艺生产，事实上中国庞大的制造业对成熟工艺的需求极大，如家电芯片等甚至只要微米级就能满足，晶合集成由此得到了飞速发展...