日本索尼正通过大规模生产激光二极管来显著提升大容量机械硬盘（HDD）的存储容量，以满足全球AI数据中心日益增长的数据存储需求。据悉，从5月开始，索尼半导体解决方案将与美国知名存储解决方案提供商希捷科技（Seagate）紧密合作，共同生产这些先进的激光二极管。这些二极管将应用于3.5英寸HDD，其存储容量高达30TB，是现有型号的两倍之多。这一突破性的技术进展不仅提高了数据存储的密度，还为数据中心带来了更高效、更可靠的存储解决方案。为了支持这一创新技术的推广和应用，索尼计划投资约50亿日元（约合3300万美元）来扩建其在日本宫城县和泰国的生产设施。这一举措不仅将提升索尼的产能，还有助于推动其在全球半导体市场的地位进一步提升。这项技术进步的特点在于其极高的精度，激光能够精确地瞄准磁盘表面百万分之一毫米的区域。通过将存储区域加热至400度或更高，索尼的激光二极管技术能够实现更紧密的数据打包，从而显著扩展HDD的存储能力。这一创新不仅提高了数据存储的效率和可靠性，还为数据中心带来了更高的性能和更低的能耗。 在全球数据...

2023年，是ASML狂欢的一年，这一年卖出了276亿欧元的光刻机，同比增长30%，而净利润为78亿欧元，同比增长43%，毛利率高达51.3%。 2023年这一年，ASML卖出了53台EUV光刻机，125台浸润式DUV光刻机，32台普通干式DUV光刻机，184台KrF光刻机，55台L-line光刻机，所有类型的光刻机，都比2022年销量多。 而对于2024年，ASML不乐观表示预计和2023年差不多。 事实上，2024年，理应是ASML大量发展的一年，为何预计却不会再有什么增长呢？原因在于ASML的EUV光刻机，已经发展到极限，难有下一代了，前路已经被堵了。 目前ASML最大的营收来源，其实是靠EUV光刻机，2023年为例，53台EUV光刻机，每台1.8亿美元左右，这里就贡献了近100亿美元，三分之一啊。 现在主要销售的EUV光刻机，是NA=0.33的光刻机，NA也称之为数值孔径，也称之为Low-NA系统，因为0.33是低数值孔径。 这种光刻机，能实现26nm的最小金属间距和25-30nm尖端到尖端的近似互连空间间距，比较理想的，是实现3nm的芯片制造。 而NA=0.55的光刻机，数值孔径变大...

日前长江存储代理CEO公开表示如果ASML拒绝为已购买的光刻机提供售后服务和配件，作为客户有权要求ASML回购光刻机，如果ASML被迫回购中国芯片企业已购买的800台光刻机，将蒙受千亿损失。 业界人士认为任何一项产品都应该提供售后服务，例如汽车的使用寿命长达10多年，汽车企业就会提供长达10多年的售后服务，这是企业在面对消费者应该提供的义务，光刻机这种动辄数亿元的产品更应该如此，如果ASML做不到，那么它理应回购这部分光刻机。 专家表示如果ASML既不提供售后服务，又不回购光刻机，那么中国应该考虑拒绝承认荷兰境内所有公司的知识产权，乃至可以借此没收ASML在中国的资产，ASML的专利权也不应得到维护，如此将有助于中国发展自己的光刻机产业。 如此阻碍中国发展光刻机的障碍将消失，当前中国研发光刻机的困难之一就是绕开ASML的光刻机专利，这已严重影响中国的光刻机产业发展，如果ASML和荷兰不维护中国客户的权益，中国理所当然无需再维护荷兰企业的权益，为国产光刻机的研发扫清障碍。 专家认为中国的光刻机产业如今...

众所周知，目前的硅基芯片，其制造过程都离不开光刻工艺，所以光刻机必不可少。 干式光刻机ArF Dry，最多可以实现65nm制程。浸润式光刻机ArFi可以实现的最小制程是7nm，而到了7nm以下，就需要EUV光刻机了。 目前国内的芯片制造工艺，一直卡在14nm，进入不了10nm、7nm等，很多人认为主要是光刻机被卡住了。 毕竟之前中芯的梁孟松也是这么说的，他说7nm制程的研究工作，已经全部做好，5nm制程的最大难点，也在进行中，只等EUV光刻机的到来。 但其实现5nm，真的买到EUV光刻机就行了么，并不是的，还有一种关键设备非常重要，且这种关键设备，也是被美国禁售的。 这种关键设备就是多束电子束光刻机，它与EUV光刻机的作用截然不同。 这种电子束光刻机用在哪里？用在光摸膜板的制造上。 我们知道目前的芯片制造，类似于投影，先制造出光掩膜板，把电路图刻在光掩膜板上，类似于制造一张“幻灯片底片”，而一颗高端芯片通常需要60-90块光刻掩模，其中EUV掩模数量为5-10块，单块成本最高可达200万美元以上。 然后再利用光刻机，用光线来照射光掩...

半导体产业有这样一条规律，“一代技术、一代工艺、一代设备”，先研发出技术，然后形成工艺,最后再形成设备。因为不断有新技术出现，产生了新工艺，新的设备才会有企业买。而半导体设备的升级迭代，很大程度上有赖于精密零部件的关键技术突破。精密零部件不仅是半导体设备制造中难度较大、技术含量较高的环节之一，也是国内半导体设备“卡脖子”的环节之一，也支撑着整个半导体芯片制造和现代电子信息产业。按照通用性划分，半导体零部件可以分为精密机加件和通用外购件。精密机加件一般由各设备公司工程师自行设计，委外加工，一般只用于本公司生产设备，如工艺腔室、传输腔室。这种零部件的国产化相对容易，但对表面处理、精密机加工等技术要求较高。 而通用外购件一般是经过长期验证，得到众多设备商、晶圆制造厂广泛认可的零部件，更加标准化，应用数量也更大，不仅设备商会采购，晶圆厂也会采购此类部件作为耗材和备件使用，例如石英件、射频电源、泵、阀门、密封圈、流量计、陶瓷件等。这类零部件需要较强的通用性和一致性，且要得到设备商...

日前中国超级计算机研究中心（NSCC）表示已实现了中国首个4纳米芯片的封装，并已将芯片应用于计算机集群中，这意味着中国在芯片封装技术方面再进一步，将为中国解决芯片性能开辟一条新道路。 先进封装技术得到重视，在于当下先进工艺的发展已逐渐达到瓶颈。台积电和三星都在去年宣布量产3纳米工艺，然而三星的3纳米工艺被指良率极低，只有10%-20%左右，超低的良率导致成本高企，至今不知三星的3纳米工艺客户到底是谁。台积电也在去年底宣布量产3纳米工艺，但是预计该工艺的客户只有苹果，并且苹果到6月份才开始采用该工艺生产A17处理器，在以往台积电一旦量产先进工艺，苹果等客户就立即采用，这次3纳米工艺却延迟了半年时间，业界人士认为是苹果不满台积电3纳米工艺性能提升有限、成本过高，迫使台积电改良至第二代3纳米工艺N3E才采用。研发先进工艺遇阻，Intel、台积电等诸多芯片企业就联合开发另一种提升芯片性能的办法，那就是小芯片技术，小芯片简称为chiplet技术，该项技术可以利用现有的芯片工艺，提升芯片性能。 chiplet技术其实有两种，一种是将同种工...