从破土动工到设备搬入仅用约一年——长江存储三期项目正在打破半导体行业的常规建厂周期。据业内最新消息，原定于2027年量产的武汉三期晶圆厂，有望提前至2026年下半年投入生产，比原计划整整提前一年。 这一速度在半导体行业极为罕见。常规情况下，此类晶圆厂从建设到量产通常需要两年左右周期。长江存储采取了“边建厂、边投产”的加速策略， 在工厂主体建筑尚未完全完工的情况下，同步进行设备搬入与生产线调试。 布局超级周期 在全球存储芯片供应持续紧缺的背景下，长江存储的加速扩产是一项精准的战略决策。2025年9月正式动工的三期项目，由长江存储与湖北国资共同出资，注册资本高达207.2亿元。 这种“弯道超车”的策略背后，是长江存储对NAND Flash市场即将迎来“超级周期”的预判。 当前，受AI服务器、数据中心及消费电子复苏推动，NAND Flash需求大幅攀升，市场呈现供不应求态势。 2026年被长江存储视为扩大NAND Flash市场占有率的黄金时刻。 三星与SK海力士将主要资源与重心倾斜至利润更高的DR...

全球半导体巨头三星电子和SK海力士正式打响尖端NAND闪存产能争夺战。据最新消息，两家公司计划在今年第二季度推进尖端NAND闪存的转换投资，其中三星电子正在讨论的投资规模约为每月4万至5万片晶圆，预计明年进入量产阶段。 过去长期把资源优先投向DRAM的两大巨头，如今正积极调整战略布局，应对AI服务器需求激增带来的存储芯片市场新变化。 三星电子与SK海力士此次的转换投资决策，标志着存储芯片巨头战略重心正在发生微妙变化。过去，由于市场需求不足，两家公司的设备投资几乎全部集中在DRAM领域，NAND投资计划一再推迟。 三星电子在2024年9月就已启动280层V9 NAND量产，但当时只在平泽园区部署了初期量产线，月产能仅约15000片晶圆。如今，随着AI产业推动存储需求快速上升，三星正在加速扩大V9产能，重点放在中国西安的X2产线。 SK海力士也展现出强劲的扩产势头。该公司计划在今年第二季度启动321层第9代NAND的转换投资，目标是在清州M15实现月产约3万片晶圆的V9产能。与目前约2万片晶圆的水平相比，这次扩产力度相当大...

2025年12月9日晚间，半导体行业期待已久的重磅合并案意外落幕。海光信息与中科曙光双双发布公告，宣布终止持续半年多的吸并重组计划。这一曾被部分投资机构人士称为“国内算力产业最大吸并案”的交易，最终因“交易规模较大、涉及相关方较多，且市场环境发生较大变化，实施条件尚不成熟”而告吹。 从5月25日首次公布合并计划，到12月9日宣布终止，这场原本有望打造从芯片到服务器的国内算力产业龙头的交易，在历经半年多的筹划后悄然收场。深夜的公告为本就寒冷的冬日增添了更多寒意。 合并终止，连锁反应显现 随着两家公司董事会在同一天审议通过终止议案，这一宏图暂时搁浅。更具连锁反应的是，由于换股吸收合并的终止，海光信息也同步取消了对曙光数创的要约收购事项。 在过去的半年多时间里，两家公司为推进这一交易付出了持续努力。自2025年7月起，中科曙光曾连续发布6次重大资产重组进展公告。这些公告一直强调，交易前后海光信息均无实际控制人，不构成重组上市情形。 市场环境的快速变化最终使得这一交易难以继续推进。两家公司在公告中均...

当全球半导体产业在 AI 浪潮与消费电子复苏的双重驱动下加速回暖，晶圆代工领域的核心玩家正陆续交出 2025 年第三季度的答卷。11 月上旬至中旬，国产晶圆代工 “双雄” 华虹半导体与中芯国际相继披露最新财报。11月13日，中芯国际披露财报显示，Q3销售收入为23.82亿美元，同比增长9.7%；毛利率为22%，环比上升1.6%。产能利用率上升至95.8%，环比增长3.3个百分点。 根据未经审核的财务数据，中芯国际前三个季度收入为68.38亿美元, 较去年同期增长17.4%；毛利率为21.6%, 较去年同期增长5.3个百分点；资本开支合计57亿美元。 中芯国际表示，四季度按照国际财务报告准则，公司收入指引为环比持平到增长2%，毛利率指引为18%到20%。对于净利润变动，中芯国际表示，主要是由于晶圆销量同比增加及产品组合变动所致。 以地区收入分类看，中国、美国、欧亚占比分别为86%、11%和3%。从产品尺寸来看，12 英寸晶圆仍是主流，2025 年第三季度收入占比达 77.0%。 从产能及出货量来看，折合8英寸标准逻辑，中芯国际第三季度月产能达到102.28万片，突破百万片；销售晶圆数量...

10月15日，2025湾区半导体产业生态博览会在深圳会展中心开幕。“芯世界，新选择，新凯来”标语下人头攒动，位于1号馆的深圳市新凯来技术有限公司（以下简称“新凯来”）当属最火爆的展台。新凯来现场展出了多款半导体设备和设计软件，重点展示了工艺装备和量检测装备两大系列共16款设备产品，所有产品均用中国的名山大川命名。 子公司启云方（武汉启云方科技有限公司）和万里眼（深圳万里眼技术有限公司）分别发布了EDA设计软件和超高速示波器。 虽然此次展会新凯来没有展出光刻机相关信息，但这家成立仅3年多的公司，正向半导体设备多项“卡脖子“技术发出了挑战。 为何一家成立仅3年多的公司能带来如此多的惊喜？ 谈起新凯来，就不得不说起它的身世——深圳重大产业投资集团有限公司（以下简称“深圳投资集团”）与华为的合作。 深圳投资集团是深圳市委、市政府重大战略引领性产业投资功能性平台，由深圳市国资委直接管理。这一股权结构使新凯来具有鲜明的“国家队”属性。 深圳投资集团旗下有三家芯...

北京时间10月15日午后，荷兰光刻机之王阿斯麦（ASML）披露了第三季度财报，营业收入录得75.16亿欧元，处于二季度指引的低位区间，略低于行业一致性预期，差距不大。每股收益5.49欧元，略高于预期的5.33欧元，主要得益于费用略低于指引的区间。 整体来看财报表现中规中矩，如果以行业惯性ArFi产品（浸润式光刻机，DUV系列）24个月和EUV18个月的交付周期来看，三季度正好处于23Q3和24Q1的预定周期内，而23Q4和24Q2相对业绩高点需要下个季度兑现。管理层指引较二季度相对乐观，预计四季度营收92亿至98亿欧元之间，毛利率在51%-53%之间，全年整体增速维持在15%。 在二季度主动调低指引后（一季度指引上限全年增速约为24%），三季度维持了二季度的全年展望，同时管理层透露了好坏各一个消息： ·好消息：AI资本开支预期持续性明显要更好，这一点可以从新订单看出，三季度Net bookings达到了54亿欧，虽然环比微降，但要明显高于行业预期的49.7亿欧，以及小摩给出的39.2亿欧的指引。其中存储类新订单明显增长。·坏消息：管理层明确表明了2026...

氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料之一，正加速在电力电子、数据中心与新能源汽车等高增长领域渗透。 在这一关键节点，台积电决定于2027年前逐步退出GaN晶圆代工业务，主因包括产能利用率不足、价格竞争压力以及长期战略重心转移。 而与此同时，英飞凌则在大力推进300毫米GaN晶圆IDM自建产线，力图在效率与成本上获得先发优势。 两位主要的玩家选择不同，逻辑也不同。 氮化镓作为宽禁带半导体材料，其电子迁移率高、击穿电压大、频率响应快，使其在高压、快开关应用中具备显著优势，尤其适用于服务器电源、快充、逆变器、车载OBC与电驱动模块等场景。 目前主流GaN晶圆制程以GaN-on-Si（氮化镓外延层生长在硅衬底）为主，主要集中在6英寸和8英寸产线上。 以台积电为例，其以150毫米（6英寸）硅衬底工艺为核心，服务包括Navitas、意法半导体与GaN Systems等企业，提供高压GaN晶圆制造代工。 但由于整体GaN市场体量相较CMOS远小，加之定价难以形成规模溢价，台积电的GaN业务始终维持在较低投片规模。 从技术角度看 ◎ GaN外延生长...

8月18日消息，华虹半导体有限公司今日发布公告称，正筹划以发行股份及支付现金方式收购上海华力微电子有限公司控股权，并配套募集资金。此次交易初步确定的交易方包括控股股东上海华虹集团、国家集成电路产业投资基金二期等机构，预计不构成重大资产重组，且不会导致公司实际控制人变更。华虹半导体自今天（8月18日）起停牌，预计停牌时间不超过10个交易日。 先来看看本次收购标的资产为华力微旗下与华虹存在65／55nm及40nm工艺竞争的“华虹五厂”所对应股权，该资产目前正处于分立阶段。 华虹五厂，是中国大陆首条12英寸全自动生产线，月产能达3．8万片，覆盖65／55nm至40nm工艺，主要服务于物联网、汽车电子等领域。从公布的协议细节来看，交易双方虽然同属华虹集团，但工艺技术定位还是存在较大差异——“大哥”华虹比较聚焦特色工艺（如智能卡芯片），＂小弟＂华力微则比较侧重先进逻辑工艺。 双方在65／55nm节点的技术都有很大的优化空间，且在65／55nm及40nm工艺节点都存在交叉业务：华虹承接独立式及嵌入式非易失性存储器工艺平台...

作为全球第一大光刻机厂商，也是唯一掌握EUV光刻机技术的厂商，理论上而言，ASML的日子是相当滋润的。 毕竟EUV光刻机是制造7nm以下芯片必备机器，所以全球的顶尖芯片厂，都要抢ASML的EUV光刻机，看它的脸色行事，它卡着全球芯片厂商的脖子啊。 但是，从最近的情况来看，这家理论上风光无限的光刻机巨头，日子却也没有想象中的好过，原因就是它们的“印钞机”EUV光刻机，似乎失灵了。 我们知道，ASML的光刻机，是与芯片工艺应对的，KrF、ArF、ArFi、EUV等等，对应着不同的工艺。制造什么样的芯片，就要买哪一种光刻机。 而全球的芯片工艺不断前进，所以芯片厂商们，也要不断的买新光刻机，不停的更新换代，ASML为此赚的盆满钵满的。 但是进入到EUV之后，这种更新换代就难了，一方面是研发最新款的EUV光刻机，实在是太难，成本太高了。二是研发出来，也因为成本太高，芯片厂商们不愿意买，卖不掉啊。 先说研发难的问题，之前的EUV光刻机，其NA=0.33也就是数值孔径是0.33，而新一代叫做 High NA EUV，其...

近日，一些媒体报道了英国部署电子束光刻机相关的新闻，并号称打破ASML的EUV技术垄断。部分报道甚至号称这是全球第二台电子束光刻机，能绕过ASML。实际上当前没有任何信息表面该电子束曝光机可以用于5nm制程的芯片量产的光刻环节。在这些媒体的报道中，英国似乎已经拳打ASML，脚踢EUV了。 那事实真的如此吗？实际情况到底如何呢？ 英国部署全球第二台200kV电子束光刻设备 实际上，英国南安普敦大学宣布的是，成功开设了日本以外首个分辨率达5纳米以下的尖端电子束光刻(EBL)中心，可以制造下一代半导体芯片。这也是全球第二个，欧洲首个此类电子束光刻中心。 据介绍，该电子束光刻中心采用了日本JEOL的加速电压直写电子束光刻(EBL)系统，这也是全球第二台200kV系统（JEOL JBX-8100 G3）（第一台在日本），其可以在200毫米晶圆上实现低于5纳米级精细结构的分辨率处理。这可以在厚至10微米的光刻胶中实现，且侧壁几乎垂直，可用于开发电子和光子学领域研究芯片中的新结构。JEOL的第二代EBL设备——100kV JEOL...